IPD12CNE8N G
Número do Produto do Fabricante:

IPD12CNE8N G

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Número da Peça:

IPD12CNE8N G-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 85 V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Inventário:

12801273
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IPD12CNE8N G Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
OptiMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
85 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
67A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12.4mOhm @ 67A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 83µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4340 pF @ 40 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO252-3
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
IPD12C

Folha de Dados & Documentos

Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
IPD12CNE8NG
SP000096477
IPD12CNE8N G-DG
Pacote padrão
2,500

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
AOD2816
FABRICANTE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
AOD2816-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.31
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
BUK9217-75B,118
FABRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTIDADE DISPONÍVEL
12500
NÚMERO DA PEÇA
BUK9217-75B,118-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.57
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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